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长曝光制冷CMOS相机是鑫图新一代深度制冷产品的新成员。它采用索尼新的背照式CMOS探测器，和鑫图先进制冷密封工艺、图像降噪技术联合打造，在超长曝光性能达到深度制冷CCD水平的同时，视野(1.8英寸)，速度、动态范围等性能全面超越典型的CCD。 可以替代制冷CCD长曝光应用，在高级显微成像和工业检测上也有广泛的应用前景。
FL 26BW 暗电流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷温度可锁定到零下25℃。即使在长达30分钟曝光时，成像性能(信噪比)仍优于典型深度制冷CCD(ICX695)。
背景均一 定量分析更精准
FL 26BW 集成了索尼新背照式芯片优异的辉光抑制能力，和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良因素，成像背景均一，更适合定量分析应用。
SONY 背照式科学级芯片 综合成像性能优越
FL 26BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS探测器，长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力超越CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上。
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